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三星发布30nm工艺moviNAND嵌入

发布时间:2019-04-11 07:28:48 编辑:笔名

三星电子宣布已开始出货32GB moviNAND组合滑梯供应
,这种高密度嵌入式闪存卡采用了先进的30nm工艺,适用于高端和其他移动消费电子设备。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND闪存芯片和30nm制造工艺,其存储密度是当前40nm 16Gb的两倍。

每一个32GB moviNAND都有三部分组成冲孔铝板
,其一是八颗30nm 32Gb NAND闪存芯片;其二是一个MMC控制器,符合eMMC v4.3规范,支持缩短启动时间的加电启动功能和降低功耗的休眠命令;其三是一个固件,能够改善处理、存储大容量数据时的性能编码器电缆

除了32GB,三星30nm moviNAND闪存卡还有16GB、8GB和4GB三种容量。